电脑里的资料是存在主机的硬盘上还是内存卡上？

一、电脑里的资料是存在主机的硬盘上还是内存卡上？

电脑的内存条是随机存储器（件），是机器在运算时存储临时数据，也就是没有保留（存）功能。一旦关机，或者机器断电时，里面的数据就会全部消失。

硬盘是电脑的数据文件存储器，所有保存在硬盘中的内容，都会无条件地保存在里面。

问题中所提到“冲橘电脑里的资料”都是存储在硬盘中，或者其它的移动存储器培判困（件）中配念。而不是存储在内存条中。

存在主机的硬盘上，内存卡是过滤一下缓存的，你要譬如手机的内存和那个存储卡，内存只有8g，他是就是做一个你运行手机程序的，一个短期的，一液岩亮个缓存枣携空间，你下了那么多第二句文件呀什么的，肯定都是在125家那里面存着的，否则八早就用闹宽完了

电脑里的文件是存在硬盘里的。

把内存条拔了并不能使别人看不毕丛见之前的文件，最简单的方法是格式化硬盘的内容。

硬盘存放着用户所有的数据信息，这些数据的价值远远高于硬盘本身，硬盘是计算机最为重要的存储设备。

扩展资料：

硬盘结构

1、磁头

磁头是硬盘中最昂贵的部件，也是硬盘技术中最重要和最关键的一环。传统的磁头是读写合一的电磁感应式磁头，但是，硬盘的读、写却是两种截然不同的操作，为此，这种二合一磁头在设计时必须要同时兼顾到读/写两种特性，从而造成了硬盘设计上的局限。

而MR磁头（Magnetoresistive heads），即磁阻磁头，采用的是分离式的磁头结构：写入磁头仍采用传统的磁感应磁头（MR磁头不能进行写操作），读取磁头则采用新型的MR磁头，即所谓的感应写、磁阻读。

2、磁道

当磁盘旋转时，磁头若保持在一个位置上，则每个磁头都会在磁盘表面划出一个圆形轨迹，这些圆形轨迹就叫做磁道手者樱。这些磁道用肉眼是根本看不到的，因为它们仅是盘面上以特殊方式磁化了的一些磁化区，磁盘上的信息便是沿着这样的轨道存放的。

相邻磁道之间并不是紧挨着的，这是因为磁化单元相嫌旅隔太近时磁性会相互产生影响，同时也为磁头的读写带来困难。

一张1.44MB的3.5英寸软盘，一面有80个磁道，而硬盘上的磁道密度则远远大于此值，通常一面有成千上万个磁道。磁道的磁化方式一般由磁头迅速切换正负极改变磁道所代表的0和1。

4、柱面

硬盘通常由重叠的一组盘片构成，每个盘面都被划分为数目相等的磁道，并从外缘的“0”开始编号，具有相同编号的磁道形成一个圆柱，称之为磁盘的柱面。磁盘的柱面数与一个盘单面上的磁道数是相等的。

无论是双盘面还是单盘面，由于每个盘面都只有自己独一无二的磁头，因此，盘面数等于总的磁头数。所谓硬盘的CHS，即Cylinder（柱面）、Head（磁头）、Sector（扇区），只要知道了硬盘的CHS的数目，即可确定硬盘的容量，硬盘的容量=柱面数*磁头数*扇区数*512B。

3、扇区

磁盘上的每个磁道被等分为若干个弧段，这些弧段便是磁盘的扇区，每个扇区可以存放512个字节的信息，磁盘驱动器在向磁盘读取和写入数据时，要以扇区为单位。1.44MB3.5英寸的软盘，每个磁道分为18个扇区。

参考资料来源：百度百科-硬盘

电枣数梁脑里的资料是存毕肢在硬盘中的，但是由于硬盘与CPU交换数据速度比较慢，因此电脑运行时是将要运行的程序调入内存中，CPU直接从读取内存中的数据进凳运行处理，但内存是临时性的，一旦电脑关机内存中的数据就会被清除了。

电脑上的资料肯定是存到硬盘上了，内存只是用来做缓存的，就是平时我们使用网络有缓存就是用的内存。

二、一般说的电脑内存有1G,2G,4G,这种内存是用来干嘛的呀,这种内存和硬盘内存有什么区别啊

内存是用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。

一、主体不同

1、内存：是CPU能直接寻址的存储空间，由半导体器件制成。

2、硬盘：是计算机最主要的存储设备。

二、原理不同

1、内存：将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一历基裤起，使CPU和锋做RAM能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，每一个时钟脉冲的上升沿便开肢简始传递数据。

2、硬盘：磁颗粒极性可以被磁头快速的改变，并且在改变之后可以稳定的保持，系统通过磁通量以及磁阻的变化来分辨二进制中的0或者1。

三、优势不同

1、内存：计算机在运行中，操作系统就会把需要运算的数据从内存调到CPU中进行运算，当运算完成后CPU再将结果传送出来，内存的运行也决定了计算机的稳定运行。

2、硬盘：硬盘是一种依靠磁介质来记录数据的设备，如果受到外界环境的磁场干扰，很可能导致磁盘数据的丢失，所以应该尽量远离磁场环境。

参考资料来源：百度百科-电脑硬盘

参考资料来源：百度百科-内存

三、磁阻效应的分类

若外加磁场与外加电场垂直，称为横向磁阻效应；若外加磁场与外加电场平行，称为纵向磁阻效应。一般情况下，载流子的橡此有效质量的驰豫时时间与方向无关，则纵向磁感强度不引起载流子偏移，因而无纵向磁阻效应。

磁阻效应主要分为：常磁阻，巨磁阻，超巨磁阻，异向磁阻，穿隧磁阻效应等

常磁阻(OrdinaryMagnetoresistance,OMR)

对所有非磁性金属而言，由于在磁场中受到洛伦兹力的影响，传导电子在行进中会偏折，使得路径变成沿曲线前进，如此将使电子行进路径长度增加，使电子碰撞机率增大，进而增加材料的电阻。磁阻效应最初于1856年由威廉·汤姆森，即后来的开尔文爵士发现，但是在一般材料中，电阻的变化通常小于5%，这样的效应后来被称为“常磁阻”(ordinarymagnetoresistance,OMR)。

巨磁阻(GiantMagnetoresistance,GMR)

所谓巨磁阻效应，是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用梁吵迅时存在巨大变化的现象。巨磁阻是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。当铁磁层的磁矩相互平行时，载流子与自旋有关的散射最小，材料有最小的电阻。当铁磁层的磁矩为反平行时，与自旋有关的散射最强，材料的电阻最大。

超巨磁阻(ColossalMagnetoresistance,CMR)

超巨磁阻效应（也称庞磁阻效应）存在于具有钙钛矿(Perovskite)ABO3的陶瓷氧化物中。其磁阻变化随着外加磁场变化而有数个数量级的变化。其产生的机制与巨磁阻效应(GMR)不同，而且往往大上许多，所以被称为“超巨磁阻”。

如同巨磁阻效应(GMR)，超巨磁阻材料亦被认为可应用于高容量磁性储存装置的读写头。不过，由于其相变温度较低，不像巨磁阻材料可在室温下展现其特性，因此离实际应用尚需一些努力。

异向磁阻(Anisotropicmagnetoresistance,AMR)

有些材料中磁阻的变化，与磁场和电流间夹角有关，称为异向性磁阻效应。此原因是与材料中s轨域电子与d轨域电子散射的各向异性有关。由于异向磁阻的特性，可用来精确测量磁场。

穿隧磁阻效应(Tunnel

Magnetoresistance,TMR)

穿隧磁阻效应是指在铁磁-绝缘体薄膜(约1纳米)-铁磁材料中，其穿隧电阻大小随两边铁磁材料相对方向变化的效应。此效应首先于1975年由MichelJulliere在铁磁材料(Fe)与绝缘体材料(Ge)发现；室温穿隧磁阻效应则于1995年，由TerunobuMiyazaki与Moodera分别发现。此效应更是磁性随机存取内存(magneticrandomaccessmemory,MRAM)与硬碰陪盘中的磁性读写头(readsensors)的科学基础。

顶一下

(0)

0%

踩一下

(0)

0%